• Speaker: Carlos Eduardo R. de Souza (UFF)
  
• 21/10/2011 room A5-01, 11:00
  

Abstract: Os materiais semicondutores são fortes candidatos para produção de dispositivos óticos compactos. A tecnologia associada aos semicondutores permite a manipulação e o transporte da luz em estruturas microscópicas. Isto fundamenta todo o interesse das comunidades científica e tecnológica no estudo de aparatos semicondutores para controle das propriedades da luz visando, por exemplo a Computação Quântica. Os Guias de Ondas (GO's) são estruturas simples de serem produzidas experimentalmente por meio dos semicondutores e podem ser adaptadas para a produção de diversos dispositivos: Lasers, Detectores, Pontos Quânticos, Osciladores Paramétricos Óticos…

Neste seminário serão apresentados os resultados obtidos no estudo de GO's em ligas de AlGaAs destinados à produção de fótons gêmeos co-propagantes [1-2]. Os fótons são criados por meio do fenômeno da Fluorescência Paramétrica. Tais GO's constituem a base para a produção de um diodo emissor de fótons gêmeos[2]. Em particular, serão apresentados experimentos destinados à obtenção do coeficiente de perdas associadas à transmissão da luz pelo GO e da eficiência quântica de produção de fótons. Serão apresentados também os resultados referentes às medidas para obtenção dos Espectros de Coincidência e de Emissão de Fótons Gêmeos. Estes resultados foram obtidos no Laboratoire Materiaux et Phénomènes Quantiques da Université Paris 7 ao longo de um Estágio Pós-Doutoral financiado pela Capes.

[1] A. De Rossi, V. Ortiz, M. Calligaro, B. Vinter, J. Nagle, S. Ducci, and Vincent Berger, “A third-order-mode laser diode for quantum communication,” Semicond. Sci. Technol. 19, L99 (2004).
[2] S. Ducci, L. Lanco, V. Berger, A. De Rossi, V. Ortiz, and M. Calligaro, “Continuous-wave second-harmonic generation in modal phase matched semiconductor waveguides,” Appl. Phys. Lett. 84, 2974 (2004).

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